SANTA CLARA - Nel settore dei semiconduttori in continua evoluzione, Pat Gelsinger, CEO di Intel (NASDAQ:INTC), ha indicato che il prossimo nodo di processo dell'azienda potrebbe superare le prestazioni dei futuri chip della rivale Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Entrambi i colossi tecnologici si stanno impegnando a perfezionare nodi di semiconduttori più piccoli e sono all'avanguardia nell'innovazione con piani per la produzione di massa di chip avanzati nei prossimi anni.
Intel si sta preparando a introdurre nuove tecnologie, tra cui l'architettura RibbonFET, nell'ambito della sua strategia di avanzamento della produzione di semiconduttori. L'azienda punta alla fine del 2024 per il lancio di questa nuova tecnologia di semiconduttori. RibbonFET è la prima nuova architettura di transistor di Intel dall'introduzione di FinFET nel 2011 e promette miglioramenti significativi nelle prestazioni e nell'efficienza dei transistor.
Dall'altra parte della competizione, TSMC ha definito la sua tabella di marcia, con l'intenzione di produrre in massa il suo nodo N3P entro la fine del 2024. Inoltre, TSMC prevede lo sviluppo del nodo N2 per il 2025. Questi progressi rappresentano passi fondamentali per TSMC, che continua a spingere i confini delle prestazioni dei chip e dell'efficienza energetica.
Questo articolo è stato generato e tradotto con il supporto dell'intelligenza artificiale e revisionato da un redattore. Per ulteriori informazioni, consultare i nostri T&C.